光刻膠屬于半導體八大核心材料之一，根據全球半導體行業協會（SEMI）最新數據，光刻膠在半導體晶圓制造材料價值占比5%，光刻膠輔助材料占比7%，二者合計占比12%，光刻膠及輔助材料是繼硅片、電子特氣和光掩模之后的第四大半導體材料。本文主要就半導體核心材料光刻膠及其最前端的脫泡烘箱在整體中有何作用進行具體介紹。

（海向儀器生產的光刻膠脫泡箱）

海向儀器生產的光刻膠脫泡烘干箱用于半導體制造中硅片、砷化鎵、鈮酸鋰、玻璃等材料涂膠前的預處理烘烤、涂膠后堅膜烘烤和顯影后的高溫烘烤。

此類設備采用四面輻射加熱方式，溫度場分布均勻，智能P.I.D溫控系統，得到較為合適的溫度控制精度。

光刻脫泡烘干箱主要應用于半導體晶圓片光刻涂膠鍍膜前的基片清洗后的前烘烤(Pre baking)、涂膠后的軟烘焙，曝光、顯影后的堅膜硬烘等工藝。采用智能烘箱過程管理系統，基于TCP/ip協議，與工廠系統對接，實現自動化烘烤，過程管理?？刂品奖?、操作簡單、靈活性大。高精度控制、智能化操作、人性化的構造，大大提高生產效力！

半導體光刻膠生產工藝流程：

光刻工藝歷經硅片表面脫水烘烤、旋轉涂膠、軟烘、曝光、曝光后烘烤、顯影、堅膜烘烤、顯影檢查等工序。在光刻過程中，光刻膠被均勻涂布在襯底上，經過曝光、顯影與刻蝕等工藝，將掩膜版上的圖形轉移到襯底上，形成與掩膜版完全對應的幾何圖形。光刻工藝約占整個芯片制造成本的35%，耗時占整個芯片工藝的40-50%，是半導體制造中最核心的工藝?！?/span>

為獲得平坦而均勻的光刻膠涂層并使光刻膠與晶片之間有良好的黏附性，通常在涂膠前對晶片進行預處理。預處理一步常是脫水烘烤，在真空或干燥氮氣的機臺中，以150～200℃烘烤。工藝目的是除去晶片表面吸附的水分，在此溫度下，晶片表面大約保留了一個單分子層的水。

（海向儀器生產的光刻膠脫泡箱）

　　涂膠后，晶片須經過一次烘烤，稱之軟烘或前烘。工藝作用是除去膠中大部分溶劑并使膠的曝光特性固定。通常，軟烘時間越短或溫度越低會使得膠在顯影劑中的溶解速率增加且感光度更高，但對比度會有降低。實際上軟烘工藝需要通過優化對比度而保持可接受感光度的試湊法用實驗確定，典型的軟烘溫度是90～100℃，時間從用熱板的30秒到用烘箱的30分鐘。

　　在晶片顯影后，為了后面的高能工藝，如離子注入和等離子體刻蝕，也須對晶片進行高溫烘烤，稱之后烘或硬烘。這一工藝目的在于：減少駐波效應；激發化學增強光刻膠PAG產生的酸與光刻膠上的保護基團發生反應并移除基團使之能溶解于顯影液。

　　綜上所述，若您有半導體烘烤類箱體設備的需求，看完本文依舊不知道怎么選擇的，歡迎和海向小編一起探討，我們可為您提供詳細或定制化的服務。

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